| 图片 |
型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
PDF资料 |
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PTFB182503EL V1 |
Infineon Technologies |
H-33288-6 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9 |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：1.85 A，闸/源击穿电压：1... |
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PTFB182503EL V1 R250 |
Infineon Technologies |
H-33288-6 |
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射频MOSFET电源晶体管 RF LDMOS FETs 240W 1805-1880 MHz |
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| 参数：制造商：Infineon，RoHS：否，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：1.8 GHz to 1.88 GHz，增益：19 dB，输出... |
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PTFB182503EL V2 |
Infineon Technologies |
H-33288-6 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9 |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：1.85 A，闸/源击穿电压：1... |
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PTFB182503ELV1R250XTMA1 |
Infineon Technologies |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9 |
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| 参数：制造商：Infineon，零件号别名：FB182503ELV1R25XT PTFB182503ELV1R250，... |
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PTFB182503ELV1XWSA1 |
Infineon Technologies |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9 |
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| 参数：制造商：Infineon，零件号别名：FB182503ELV1XP PTFB182503ELV1，... |
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PTFB182503FL V1 |
Infineon Technologies |
H-34288-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9 |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：1.85 A，闸/源击穿电压：1... |
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PTFB182503FL V1 R250 |
Infineon Technologies |
H-34288-4/2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RF LDMOS FETs 240W 1805-1880 MHz |
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| 参数：制造商：Infineon，RoHS：否，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：1.8 GHz to 1.88 GHz，增益：19 dB，输出... |
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PTFB182503FL V2 |
Infineon Technologies |
H-34288-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9 |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：1.85 A，闸/源击穿电压：1... |
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PTFB182503FL V2 R250 |
Infineon Technologies |
H-34288-4/2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RF LDMOS FETs 240W 1805-1880 MHz |
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| 参数：制造商：Infineon，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：1.8 GHz to 1.88 GHz，增益：19 dB，输出功率：50 W... |
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PTFB183404E V1 |
Infineon Technologies |
H-36275-8 |
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射频MOSFET电源晶体管 RF LDMOS FETs 340W 1805-1880 MHz |
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| 参数：制造商：Infineon，配置：Dual，晶体管极性：N-Channel，频率：1.8 GHz to 1.88 GHz，增益：17 dB，输出功率：125 W，... |
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PTFB183404E V1 R250 |
Infineon Technologies |
H-36275-8 |
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射频MOSFET电源晶体管 LD9 340W 1805-1880MHz |
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| 参数：制造商：Infineon，配置：Dual，晶体管极性：N-Channel，频率：1.8 GHz to 1.88 GHz，增益：17 dB，输出功率：125 W，... |
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PTFB183404F V1 |
Infineon Technologies |
H-37275-6 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9 |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：2.6 A，闸/源击穿电压：10... |
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PTFB183404F V1 R250 |
Infineon Technologies |
H-37275-6/2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RF LDMOS FETs 340W 1805-1880 MHz |
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| 参数：制造商：Infineon，RoHS：否，配置：Dual，晶体管极性：N-Channel，频率：1.8 GHz to 1.88 GHz，增益：17 dB，输出功率... |
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PTFB183404F V2 |
Infineon Technologies |
H-37275-6 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9 |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：2.6 A，闸/源击穿电压：10... |
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PTFB183404F V2 R250 |
Infineon Technologies |
H-37275-6/2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RF LDMOS FETs 340W 1805-1880 MHz |
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| 参数：制造商：Infineon，配置：Dual，晶体管极性：N-Channel，频率：1.8 GHz to 1.88 GHz，增益：17 dB，输出功率：125 W，... |
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PTFB191501E V1 |
Infineon Technologies |
H-36248-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9 |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：1.2 A，闸/源击穿电压：10... |
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PTFB191501E V1 R250 |
Infineon Technologies |
H-36248-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9 |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：1.2 A，闸/源击穿电压：10... |
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PTFB191501F V1 |
Infineon Technologies |
H-37248-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9 |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：1.2 A，闸/源击穿电压：10... |
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PTFB191501F V1 R250 |
Infineon Technologies |
H-37248-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9 |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：1.2 A，闸/源击穿电压：10... |
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PTFB192503EL V1 |
Infineon Technologies |
H-33288-6 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9 |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：1.9 A，闸/源击穿电压：10... |
