| 图片 |
型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
PDF资料 |
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QS8J1TR |
ROHM Semiconductor |
TSMT8 |
208 |
MOSFET P Chan-12V-4.5A Mid-PowerSwitching |
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| 参数：制造商：ROHM Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 12 V，闸/源击穿... |
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R8002ANX |
ROHM Semiconductor |
TO-220-3 整包 |
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MOSFET 10V Drive Nch MOSFET |
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| 参数：制造商：ROHM Semiconductor，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续电... |
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R8008ANX |
ROHM Semiconductor |
TO-220-3 整包 |
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MOSFET 10V Drive Nch MOSFET |
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| 参数：制造商：ROHM Semiconductor，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续电... |
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R5013ANXFU6 |
ROHM Semiconductor |
TO-220FM |
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MOSFET TRANS MOSFET NCH 500V 13A 3PIN |
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| 参数：制造商：ROHM Semiconductor，RoHS：是，包装形式：Bulk，工厂包装数量：500，... |
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R5019ANJTL |
ROHM Semiconductor |
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
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MOSFET Nch 500V 19A MOSFET |
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| 参数：制造商：ROHM Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，漏极连续电流... |
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R6006ANX |
ROHM Semiconductor |
TO-220FM |
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MOSFET 10V DRIVE NCH MOSFET |
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| 参数：制造商：ROHM Semiconductor，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续电... |
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R6008ANX |
ROHM Semiconductor |
TO-220-3 整包 |
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MOSFET Trans MOSFET N-CH 600V 8A |
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| 参数：制造商：ROHM Semiconductor，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续电... |
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R6020ANX |
ROHM Semiconductor |
TO-220-3 整包 |
12 |
MOSFET Nch 600V 20A MOSFET |
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| 参数：制造商：ROHM Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，漏极连续电流... |
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R6046FNZC8 |
ROHM Semiconductor |
TO-3P-3 整包 |
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MOSFET SILICON N-CHANNEL MOSFET; 600V |
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| 参数：制造商：ROHM Semiconductor，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续电... |
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MP6K31TR |
ROHM Semiconductor |
MPT6 |
|
MOSFET Nch+Nch 60V 2A MOSFET |
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| 参数：制造商：ROHM Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，漏极连续电流：... |
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EM5K5T2R |
ROHM Semiconductor |
EMT5 |
42 |
MOSFET Sm Signal, Sw MOSFET N Chan, 30V, 0.3A |
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| 参数：制造商：ROHM Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，漏极连续电流：... |
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EM6J1T2R |
ROHM Semiconductor |
EMT6 |
836 |
MOSFET FET Dual Pch -20V -200mA EMT6 |
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| 参数：制造商：ROHM Semiconductor，RoHS：是，汲极/源极击穿电压：- 20 V，漏极连续电流：200 mA，安装风格：SMD/SMT，封装形式：E... |
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EM6K1T2R |
ROHM Semiconductor |
EMT6 |
44,679 |
MOSFET 2N-CH 30V .1A |
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| 参数：制造商：ROHM Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压... |
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|
EM6K6T2R |
ROHM Semiconductor |
EMT6 |
20,428 |
MOSFET Small Signal Dual N-CH 20V .3A .15W |
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| 参数：制造商：ROHM Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压... |
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EM6K7T2R |
ROHM Semiconductor |
EMT6 |
2,354 |
MOSFET TRNSISTR DUAL MOSFET |
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| 参数：制造商：ROHM Semiconductor，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：1，... |
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EM6M1T2R |
ROHM Semiconductor |
EMT6 |
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MOSFET Sm Signal, Sw MOSFET N/P Ch, -20V, 0.15A |
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| 参数：制造商：ROHM Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，漏... |
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EM6M2T2R |
ROHM Semiconductor |
EMT6 |
122,154 |
MOSFET 1.2V Drive Nch+Pch MOSFET |
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| 参数：制造商：ROHM Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... |
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TT8J21TR |
ROHM Semiconductor |
8-TSST |
27 |
MOSFET P Chan-20V-2.5A Mid-PowerSwitching |
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| 参数：制造商：ROHM Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压... |
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TT8J2TR |
ROHM Semiconductor |
8-TSST |
13,649 |
MOSFET SW MOSFET MIDDLE PWR P CH -30V-2.5A |
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| 参数：制造商：ROHM Semiconductor，RoHS：是，汲极/源极击穿电压：- 30 V，漏极连续电流：2.5 A，安装风格：SMD/SMT，封装形式：TS... |
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TT8K2TR |
ROHM Semiconductor |
8-TSST |
20 |
MOSFET SW MOSFET MIDDLE PWR N-CH 30V2.5A |
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| 参数：制造商：ROHM Semiconductor，RoHS：是，汲极/源极击穿电压：30 V，漏极连续电流：2.5 A，安装风格：SMD/SMT，封装形式：TSST... |
