R6046FNZC8

厂家：: ROHM Semiconductor
封装：: TO-3P-3 整包
数量：: 8838
说明：: MOSFET SILICON N-CHANNEL MOSFET; 600V

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R6046FNZC8 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：230 ns
上升时间：150 ns
功率耗散：120 W
栅极电荷 Qg：150 nC
下降时间：80 ns
包装形式：Bulk
封装形式：TO-3PF
安装风格：Through Hole
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：93 mOhms
漏极连续电流：46 A
闸/源击穿电压：30 V
汲极/源极击穿电压：600 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：ROHM Semiconductor

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