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R8002ANX

厂家：
  ROHM Semiconductor
封装：
 TO-220-3 整包
数量：
 8658  
说明：
 MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
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R8002ANX-TO-220-3 整包图片

R8002ANX PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：33 ns
上升时间：20 ns
功率耗散：35 W
栅极电荷 Qg：12.7 nC
下降时间：70 ns
包装形式：Bulk
封装形式：TO-220
安装风格：Through Hole
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：4.3 Ohms
漏极连续电流：2 A
闸/源击穿电压：30 V
汲极/源极击穿电压：800 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：ROHM Semiconductor

以上是R8002ANX的详细信息，包括R8002ANX厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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