QS8J1TR

厂家：: ROHM Semiconductor
封装：: TSMT8
数量：: 1837
说明：: MOSFET P Chan-12V-4.5A Mid-PowerSwitching

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QS8J1TR PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：390 ns
上升时间：75 ns
功率耗散：1.5 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：215 ns
包装形式：Reel
封装形式：TSMT-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：29 mOhms at 4.5 V
漏极连续电流：4.5 A
闸/源击穿电压：+/- 10 V
汲极/源极击穿电压：- 12 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：ROHM Semiconductor

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