R6006ANX

厂家：: ROHM Semiconductor
封装：: TO-220FM
数量：: 8505
说明：: MOSFET 10V DRIVE NCH MOSFET

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R6006ANX PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：50 ns
上升时间：18 ns
功率耗散：40 W
栅极电荷 Qg：15 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：1.7 S
下降时间：35 ns
包装形式：Bulk
封装形式：TO-220
安装风格：Through Hole
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：1.2 Ohms
漏极连续电流：6 A
闸/源击穿电压：30 V
汲极/源极击穿电压：600 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：ROHM Semiconductor

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