TPH4R50ANH1,LQ

厂家：: Toshiba Semiconductor and Storage
封装：: 8-SOP Advance（5x5.75）
数量：: 4167
说明：: MOSFET 100V 4.5MOHM SOP-ADV(N)

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中文参数如下：
：150°C
功率耗散（最大值）：800mW（Ta）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：5200 pF @ 50 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：58 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：4.5 毫欧 @ 46A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：92A（Tc）
漏源电压（Vdss）：100 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：在售
包装：U-MOSVIII-H
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

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