TPH8R80ANH,L1Q

厂家：: Toshiba
封装：: 8-PowerVDFN
数量：: 81
说明：: MOSFET N-Ch 120V 59A 61W UMOSVIII 2180pF 33nC

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TPH8R80ANH,L1Q PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：33 ns
上升时间：7 ns
功率耗散：61 W
栅极电荷 Qg：33 nC
下降时间：12 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOP-8
安装风格：SMD/SMT
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：7.4 mOhms
漏极连续电流：59 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：100 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Toshiba

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