点击下载PDF参数资料
中文参数如下:
典型关闭延迟时间:80 ns
工厂包装数量:8000
上升时间:35 ns
功率耗散:150 mW
下降时间:35 ns
包装形式:Reel
封装形式:EMT-6
安装风格:SMD/SMT
配置:Dual
电阻汲极/源极 RDS(导通):7 Ohms
漏极连续电流:0.1 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:ROHM Semiconductor
以上是EM6K1T2R的详细信息,包括EM6K1T2R厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!