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TT8J21TR

厂家：
  ROHM Semiconductor
封装：
 8-TSST
数量：
 1530  
说明：
 MOSFET P Chan-20V-2.5A Mid-PowerSwitching
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TT8J21TR-8-TSST图片

TT8J21TR PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：120 ns
上升时间：30 ns
功率耗散：1250 mW
最小工作温度：- 55 C
下降时间：30 ns
包装形式：Reel
封装形式：TSST-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：68 mOhms at 4.5 V
漏极连续电流：2.5 A
闸/源击穿电压：+/- 10 V
汲极/源极击穿电压：20 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：ROHM Semiconductor

以上是TT8J21TR的详细信息，包括TT8J21TR厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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