Infineon Technologies
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IPB029N06N3 G | Infineon Technologies | TO-263 | 900 | MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB030N08N3 G | Infineon Technologies | TO-263 | 396 | MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB031NE7N3 G | Infineon Technologies | TO-263-3 | 534 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续... | ||||||
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IPB033N03LG | Infineon Technologies | MOSFET POWER MOS | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，工厂包装数量：1000，... | ||||||
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IPB034N03L G | Infineon Technologies | TO-263 | 443 | MOSFET N-CH 30V 80A 3.4mOhms | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB034N06L3 G | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 60V 90A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB034N06N3 G | Infineon Technologies | TO-263 | 200 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 60V 100A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB035N08N3 G | Infineon Technologies | TO-263 | 800 | MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB036N12N3 G | Infineon Technologies | TO-263-7 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：120 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连... | ||||||
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IPB037N06N3 G | Infineon Technologies | TO-263 | 1263 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 60V 90A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB038N12N3 G | Infineon Technologies | TO-263-3 | 322 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：120 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连... | ||||||
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IPB039N04L G | Infineon Technologies | TO-263 | 250 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 40V 80A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB039N10N3 G | Infineon Technologies | TO-263-7 | 291 | MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连... | ||||||
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IPB039N10N3GE818XT | Infineon Technologies | PG-TO263-3 | MOSFET OptiMOS 3 Power Transistor | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：80 A，电阻汲极/源... | ||||||
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IPB03N03LA G | Infineon Technologies | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 25V 80A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB03N03LBG | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB041N04N G | Infineon Technologies | TO-263 | 847 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 40V 80A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB042N03L G | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 30V 70A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB042N10N3 G | Infineon Technologies | TO-263 | 663 | MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPB042N10N3GE818XT | Infineon Technologies | PG-TO263-3 | MOSFET OptiMOS Power Transistor | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲极... | ||||||
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