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IPB042N10N3GE818XT

厂家：: Infineon Technologies
封装：: PG-TO263-3
数量：: 4167
说明：: MOSFET OptiMOS Power Transistor

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IPB042N10N3GE818XT PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：E8187 G IPB042N10N3 IPB042N10N3GE8187ATMA1
典型关闭延迟时间：48 ns
上升时间：59 ns
功率耗散：214 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：88 nC
下降时间：14 ns
封装形式：PG-TO263-3
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：4.2 mOhms at 10 V
漏极连续电流：100 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：100 V
晶体管极性：N-Channel
制造商：Infineon

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