首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > IPB049NE7N3 G

IPB049NE7N3 G

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 TO-263-3
数量：
 8184  
说明：
 MOSFET N-Channel 75V MOSFET
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
IPB049NE7N3 G-TO-263-3图片

IPB049NE7N3 G PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

零件号别名：IPB049NE7N3GATMA1 IPB049NE7N3GXT SP000641752
典型关闭延迟时间：30 nS
上升时间：11 nS
功率耗散：150 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：51 nC
下降时间：8 nS
包装形式：Reel
封装形式：TO-263-3
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：4.9 mOhms at 10 V
漏极连续电流：80 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：75 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

以上是IPB049NE7N3 G的详细信息，包括IPB049NE7N3 G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   两极晶体管 - BJT    JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器  

MOSFET最新产品：

  • ISC0804NLSATMA1
  • PSMN1R4-30YLDX
  • IXTY90N055T2-TRL
  • IPB100N06S2L05ATMA2
  • AOTF292L
  • AOWF20S60
  • AOW20S60
  • GT100N12D5
  • SQJ886EP-T1_BE3
  • DMT15H017LPS-13

    • 相近型号推荐

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC