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IPB049NE7N3 G

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 TO-263-3
数量：
 8184  
说明：
 MOSFET N-Channel 75V MOSFET
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IPB049NE7N3 G PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：IPB049NE7N3GATMA1 IPB049NE7N3GXT SP000641752
典型关闭延迟时间：30 nS
上升时间：11 nS
功率耗散：150 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：51 nC
下降时间：8 nS
包装形式：Reel
封装形式：TO-263-3
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：4.9 mOhms at 10 V
漏极连续电流：80 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：75 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

以上是IPB049NE7N3 G的详细信息，包括IPB049NE7N3 G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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