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IPB04N03LAT

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
数量：
 1843  
说明：
 MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
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IPB04N03LAT-TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB图片

IPB04N03LAT PDF参数资料

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中文参数如下：

FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：3.9 毫欧 @ 55A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：25V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：80A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：2V @ 60µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：32nC @ 5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：3877pF @ 15V
功率 - 最大：107W
安装类型：表面贴装

以上是IPB04N03LAT的详细信息，包括IPB04N03LAT厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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