IPB031NE7N3 G

厂家：: Infineon Technologies
封装：: TO-263-3
数量：: 1650
说明：: MOSFET N-KANAL POWER MOS

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中文参数如下：

零件号别名：IPB031NE7N3GATMA1 IPB031NE7N3GXT SP000641730
工厂包装数量：1000
功率耗散：214 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：88 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：150 S, 75 S
包装形式：Reel
封装形式：TO-263-3
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
电阻汲极/源极 RDS（导通）：3.1 mOhms
漏极连续电流：100 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：75 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Infineon

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