IPB036N12N3 G

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 TO-263-7
数量:
 1161  
说明:
 MOSFET N-KANAL POWER MOS
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中文参数如下:

零件号别名:IPB036N12N3GATMA1 IPB036N12N3GXT SP000675204
工厂包装数量:1000
功率耗散:300 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:158 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :195 S, 98 S
包装形式:Reel
封装形式:TO-263-7
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):3.6 mOhms
漏极连续电流:180 A
闸/源击穿电压:20 V
汲极/源极击穿电压:120 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Infineon

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