IPB03N03LA G

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
数量:
 1215  
说明:
 MOSFET N-CH 25V 80A
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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:45 ns
工厂包装数量:1000
上升时间:8.5 ns
功率耗散:150 W
最小工作温度:- 55 C
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :112 S / 56 S
下降时间:7.5 ns
包装形式:Reel
封装形式:TO-263
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):4.1 m Ohms
漏极连续电流:80 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:25 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Infineon

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