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IPB03N03LA G

厂家：: Infineon Technologies
封装：: TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
数量：: 1215
说明：: MOSFET N-CH 25V 80A

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：45 ns
工厂包装数量：1000
上升时间：8.5 ns
功率耗散：150 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：112 S / 56 S
下降时间：7.5 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-263
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：4.1 m Ohms
漏极连续电流：80 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：25 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Infineon

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