IPB03N03LB G

厂家：: Infineon Technologies
封装：: TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
数量：: 2145
说明：: MOSFET N-CH 30V 80A TO-263

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中文参数如下：

FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：2.8 毫欧 @ 55A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：80A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：2V @ 100µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：59nC @ 5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：7624pF @ 15V
功率 - 最大：150W
安装类型：表面贴装

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