IPB03N03LB G

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
数量:
 2145  
说明:
 MOSFET N-CH 30V 80A TO-263
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IPB03N03LB G PDF参数资料

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中文参数如下:

FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:逻辑电平门
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:2.8 毫欧 @ 55A, 10V
漏极至源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:80A
Id 时的 Vgs(th)(最大):2V @ 100µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:59nC @ 5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :7624pF @ 15V
功率 - 最大:150W
安装类型:表面贴装

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