IPB041N04N G

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 TO-263
数量:
 2089  
说明:
 MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 40V 80A
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中文参数如下:

零件号别名:IPB041N04NGATMA1 IPB041N04NGXT SP000391511
典型关闭延迟时间:23 ns
工厂包装数量:1000
上升时间:3.8 ns
功率耗散:94 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:4.8 ns
包装形式:Reel
封装形式:TO-263
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.0041 Ohms
漏极连续电流:80 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:40 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Infineon

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