IPB029N06N3 G

厂家：: Infineon Technologies
封装：: TO-263
数量：: 1998
说明：: MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V

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中文参数如下：

零件号别名：IPB029N06N3GATMA1 IPB029N06N3GXT SP000453052
典型关闭延迟时间：62 ns
工厂包装数量：1000
功率耗散：188000 mW
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：TO-263
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：2.9 mOhms
漏极连续电流：120 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Infineon

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