Infineon Technologies
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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BSC028N06NS | Infineon Technologies | DSON-8 | MOSFET 60V SuperS08 | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲极/源极 RD... | ||||||
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BSC028N06NSATMA1 | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：... | ||||||
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BSC029N025S G | Infineon Technologies | PG-TDSON-8-1 | MOSFET N-CH 25V 24A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSC030N03LS G | Infineon Technologies | TDSON | 249 | MOSFET OPTIMOS POWER MOS | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSC030N03LS-G | Infineon Technologies | TDSON | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：23 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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BSC030N03MS G | Infineon Technologies | TDSON | 4583 | MOSFET OptiMOS 3 M-Series PWR-MOSFET 30V 100A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，... | ||||||
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BSC030N04NS G | Infineon Technologies | TDSON | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 40V 100A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSC030P03NS3 G | Infineon Technologies | TDSON | MOSFET P-KANAL | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 25 V，... | ||||||
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BSC031N06NS3 G | Infineon Technologies | TDSON | MOSFET OptiMOS3 PWR-MOSFET N-CH | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSC032N03S G | Infineon Technologies | TDSON | MOSFET N-CH 30V 23A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSC032NE2LS | Infineon Technologies | TDSON-8 | 9685 | MOSFET N-Channel 25V MOSFET | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：84 A，... | ||||||
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BSC032NE2LSXT | Infineon Technologies | MOSFET | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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BSC034N03LS G | Infineon Technologies | TDSON | MOSFET N-KENAL PWR MOSFET OPTIMOS | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSC035N04LS G | Infineon Technologies | TDSON | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 40V 100A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSC037N025SG | Infineon Technologies | TDSON | MOSFET OptiMOS2 PWR-MOSFET N-CH | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSC037N03LSC G | Infineon Technologies | TDSON | MOSFET N-KANAL POWER MOS | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSC037N03MSC G | Infineon Technologies | TDSON | MOSFET N-KANAL POWER MOS | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSC039N06NS | Infineon Technologies | DSON-8 | MOSFET 60V SuperS08 | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲极/源极 RD... | ||||||
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BSC042N03LS G | Infineon Technologies | TDSON | 1290 | MOSFET OptiMOS 3 PWR-MOSFET 30V 93A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSC042N03MS G | Infineon Technologies | TDSON | 4293 | MOSFET N-CH 30V 93A 30V 93A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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