BSC030N03LS-G

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 TDSON
数量:
 1296  
说明:
 MOSFET
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BSC030N03LS-G PDF参数资料

中文参数如下:

典型关闭延迟时间:29 ns
上升时间:5.2 ns
功率耗散:2.5 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:4.8 ns
封装形式:TDSON
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.003 Ohms
漏极连续电流:23 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
制造商:Infineon

以上是BSC030N03LS-G的详细信息,包括BSC030N03LS-G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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