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BSC030N03LS-G

厂家：: Infineon Technologies
封装：: TDSON
数量：: 1296
说明：: MOSFET

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BSC030N03LS-G PDF参数资料

中文参数如下：

典型关闭延迟时间：29 ns
上升时间：5.2 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：4.8 ns
封装形式：TDSON
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.003 Ohms
漏极连续电流：23 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
制造商：Infineon

以上是BSC030N03LS-G的详细信息，包括BSC030N03LS-G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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