首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > BSC030P03NS3 G

BSC030P03NS3 G

厂家：: Infineon Technologies
封装：: TDSON
数量：: 5679
说明：: MOSFET P-KANAL

一、本商品被浏览0次.

BSC030P03NS3 G PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

零件号别名：BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GXT SP000442470
典型关闭延迟时间：98 ns
工厂包装数量：5000
上升时间：105 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：33 ns
包装形式：Reel
封装形式：TDSON
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.003 Ohms
漏极连续电流：25.4 A
闸/源击穿电压：+/- 25 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Infineon

以上是BSC030P03NS3 G的详细信息，包括BSC030P03NS3 G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：