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BSC031N06NS3 G

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 TDSON
数量：
 5688  
说明：
 MOSFET OptiMOS3 PWR-MOSFET N-CH
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BSC031N06NS3 G PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：BSC031N06NS3GATMA1 BSC031N06NS3GXT SP000451482
典型关闭延迟时间：63 ns
工厂包装数量：5000
功率耗散：2500 mW
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：TDSON
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：3.1 mOhms
漏极连续电流：100 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Infineon

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