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BSC030N03LS G

厂家：: Infineon Technologies
封装：: TDSON
数量：: 5901
说明：: MOSFET OPTIMOS POWER MOS

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中文参数如下：

零件号别名：BSC030N03LSGATMA1 BSC030N03LSGXT SP000237661
典型关闭延迟时间：29 ns
工厂包装数量：5000
上升时间：5.2 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：4.8 ns
包装形式：Reel
封装形式：TDSON
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：4.7 m Ohms
漏极连续电流：100 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Infineon

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