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BSC029N025S G

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 PG-TDSON-8-1
数量：
 5643  
说明：
 MOSFET N-CH 25V 24A
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BSC029N025S G PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：BSC029N025SGXT
典型关闭延迟时间：33 ns
上升时间：8 ns
功率耗散：2.8 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：6 ns
包装形式：Reel
封装形式：TDSON
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0029 Ohms
漏极连续电流：24 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：25 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Infineon

以上是BSC029N025S G的详细信息，包括BSC029N025S G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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