BSC028N06NSATMA1

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 8-PowerTDFN
数量:
 1269  
说明:
 MOSFET
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BSC028N06NSATMA1-8-PowerTDFN图片

BSC028N06NSATMA1 PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:19 ns
上升时间:38 ns
功率耗散:83 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:37 nC
下降时间:8 ns
包装形式:Reel
封装形式:PG-TDSON-8
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
电阻汲极/源极 RDS(导通):2.8 mOhms
漏极连续电流:100 A
汲极/源极击穿电压:60 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Infineon

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