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BSC028N06NSATMA1

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 8-PowerTDFN
数量：
 1269  
说明：
 MOSFET
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BSC028N06NSATMA1-8-PowerTDFN图片

BSC028N06NSATMA1 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：19 ns
上升时间：38 ns
功率耗散：83 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：37 nC
下降时间：8 ns
包装形式：Reel
封装形式：PG-TDSON-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
电阻汲极/源极 RDS（导通）：2.8 mOhms
漏极连续电流：100 A
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

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