Infineon Technologies
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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BSB014N04LX3 G | Infineon Technologies | CanPAK | MOSFET N-KANAL POWER MOS | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSB014N04LX3G | Infineon Technologies | CanPAK | MOSFET N-KANAL POWER MOS | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSB015N04NX3 G | Infineon Technologies | WDSON | MOSFET OptiMOS3 PWR-MOSFET N-CH | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSB017N03LX3 G | Infineon Technologies | MG-WDSON-2，CanPAK M? | MOSFET N-KANAL POWER MOS | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSB018NE2LX G | Infineon Technologies | MOSFET OptiMOS2 PWR-MOSFET N-CH | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSB019N03LX G | Infineon Technologies | 3-WDSON | MOSFET OptiMOS 2 N-CH 30V 174A 1.9mOhm | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSB024N03LX G | Infineon Technologies | 3-WDSON | MOSFET OptiMOS2 PWR-MOSFET N-CH | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSB027P03LX3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Channel 30V MOSFET | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：BSB027P03LX3GXT，... | ||||||
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BSB028N06NN3 G | Infineon Technologies | MG-WDSON-2 | 3719 | MOSFET N-Channel 60V MOSFET | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：90 A，... | ||||||
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BSB029P03NX3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Channel 30V MOSFET | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：BSB029P03NX3GXT，... | ||||||
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BSB044N08NN3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Channel 80V MOSFET | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：BSB044N08NN3GXT BSB044N08NN3GXUMA1 SP0006045... | ||||||
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BSB053N03LP G | Infineon Technologies | 3-WDSON | MOSFET OptiMOS 2 N-CH 30V 71A 5.3mOhm | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSB056N10NN3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Channel 100V MOSFET | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：BSB056N10NN3GXT BSB056N10NN3GXUMA1 SP0006045... | ||||||
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BSB056N10NN3 G E8182 | Infineon Technologies | MOSFET N-Channel 100V MOSFET | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：BSB056N10NN3GE8182XUMA1 BSB056N10NN3GE81XT S... | ||||||
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BSB085N10NZG | Infineon Technologies | MOSFET N-KANAL POWER MOS | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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BSB150N15NZ3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Channel 150V MOSFET | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：BSB150N15NZ3GXT，... | ||||||
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BSB165N15NZ3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Channel MOSFET 150V 45A | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：BSB165N15NZ3GXT BSB165N15NZ3GXUMA1 SP0006170... | ||||||
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BSB280N15NZ3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Channel 150V MOSFET | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：BSB280N15NZ3GXT BSB280N15NZ3GXUMA1 SP0006045... | ||||||
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BSB881N03LX3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Channel 30V MOSFET | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：BSB881N03LX3GXT BSB881N03LX3GXUMA1 SP0006169... | ||||||
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BSC009NE2LSXT | Infineon Technologies | PG-TDSON-8 | MOSFET OptiMOS Power MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：100 ... | ||||||
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