首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > BSC009NE2LSXT

BSC009NE2LSXT

厂家：: Infineon Technologies
封装：: PG-TDSON-8
数量：: 891
说明：: MOSFET OptiMOS Power MOSFET

一、本商品被浏览0次.

BSC009NE2LSXT PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

零件号别名：BSC009NE2LS BSC009NE2LSATMA1
典型关闭延迟时间：48 nS
上升时间：33 ns
功率耗散：96 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：126 nC
下降时间：19 ns
包装形式：Reel
封装形式：PG-TDSON-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.75 mOhms
漏极连续电流：100 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：25 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

以上是BSC009NE2LSXT的详细信息，包括BSC009NE2LSXT厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：