ZXM66P03N8TC

厂家：: Diodes Inc. / Zetex
封装：: SO-8
数量：: 6777
说明：: MOSFET 30V P Chnl HDMOS

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ZXM66P03N8TC PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：94.6 ns
工厂包装数量：2500
上升时间：16.3 ns
功率耗散：1.56 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：16.3 ns
包装形式：Reel
封装形式：SO-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.035 Ohms
漏极连续电流：- 7.9 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：- 30 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Diodes Inc.

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