ZXMC3A17DN8

厂家:
  Diodes Inc. / Zetex
封装:
 SO-8
数量:
 5902  
说明:
 MOSFET N and P Channel
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ZXMC3A17DN8 PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:16 ns at N Channel, 29.2 ns at P Channel
工厂包装数量:500
上升时间:6.4 ns at N Channel, 2.9 ns at P Channel
功率耗散:1.25 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:6.4 ns at N Channel, 2.9 ns at P Channel
包装形式:Reel
封装形式:SO-8
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Dual Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.065 Ohms
漏极连续电流:5.4 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N and P-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Diodes Inc.

以上是ZXMC3A17DN8的详细信息,包括ZXMC3A17DN8厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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