ZXMC3A17DN8

厂家：: Diodes Inc. / Zetex
封装：: SO-8
数量：: 5902
说明：: MOSFET N and P Channel

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：16 ns at N Channel, 29.2 ns at P Channel
工厂包装数量：500
上升时间：6.4 ns at N Channel, 2.9 ns at P Channel
功率耗散：1.25 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：6.4 ns at N Channel, 2.9 ns at P Channel
包装形式：Reel
封装形式：SO-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.065 Ohms
漏极连续电流：5.4 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Diodes Inc.

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