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中文参数如下:
典型关闭延迟时间:6.6 ns, 11.3 ns
工厂包装数量:3000
上升时间:2.3 ns, 2.8 ns
功率耗散:2.45 W
下降时间:2.9 ns, 7.5 ns
包装形式:Reel
封装形式:MLP-8
安装风格:SMD/SMT
配置:Dual Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.18 Ohms
漏极连续电流:+ 3.7 A, - 2.7 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:+/- 30 V
晶体管极性:N and P-Channel
RoHS:过渡期间
产品种类:MOSFET
制造商:Diodes Inc.
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