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中文参数如下:
典型关闭延迟时间:28.5 ns, 55 ns
工厂包装数量:500
上升时间:3.3 ns, 5.8 ns
功率耗散:2.1 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:11 ns, 23 ns
包装形式:Reel
封装形式:SOIC-8
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Dual Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.07 Ohms
漏极连续电流:5.1 A, - 4.8 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:+/- 60 V
晶体管极性:N and P-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Diodes Inc.
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