ZXMC3A17DN8TA

厂家:
  Diodes Inc. / Zetex
封装:
 8-SO
数量:
 1260  
说明:
 MOSFET 30V Enhancement Mode
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ZXMC3A17DN8TA PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:16 ns, 29.2 ns
工厂包装数量:500
上升时间:6.4 ns, 2.9 ns
功率耗散:2.1 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:11.2 ns, 8.7 ns
包装形式:Reel
封装形式:SO-8
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Dual Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.065 Ohms
漏极连续电流:5.4 A, - 4.4 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:+/- 30 V
晶体管极性:N and P-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Diodes Inc.

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