ZXMC10A816N8TC

厂家：: Diodes Inc. / Zetex
封装：: 8-SO
数量：: 1179
说明：: MOSFET 100V COMPLEMENTARY DUAL ENHANCEMNT MODE

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：12.1 ns, 20 ns
工厂包装数量：2500
上升时间：2.1 ns, 5.2 ns
功率耗散：2.1 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：5 ns, 12 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOIC-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.23 Ohms at 10 V, 0.235 Ohms at - 10 V
漏极连续电流：2.1 A, - 2.2 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：100 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Diodes Inc.

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