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ZXM66P02N8TA

厂家：
  Diodes Inc. / Zetex
封装：
 8-SO
数量：
 1116  
说明：
 MOSFET 20V P-Chnl HDMOS
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ZXM66P02N8TA-8-SO图片

ZXM66P02N8TA PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：118.4 ns
工厂包装数量：500
上升时间：44.3 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：98.4 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOIC-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.045 Ohms
漏极连续电流：- 8 A
闸/源击穿电压：+/- 12 V
汲极/源极击穿电压：- 20 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Diodes Inc.

以上是ZXM66P02N8TA的详细信息，包括ZXM66P02N8TA厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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