SQJ848EP-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: PowerPAK SO-8L
数量：: 2403
说明：: MOSFET 40V 30A 68W N-Ch Automotive

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SQJ848EP-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SQJ848EP-GE3
功率耗散：68 W
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：PowerPAK SO-8L
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.009 Ohms
漏极连续电流：30 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：40 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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