点击下载PDF参数资料
中文参数如下:
零件号别名:SQJ850EP-GE3
功率耗散:45 W
包装形式:Reel
封装形式:PowerPAK SO-8L
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.023 Ohms
漏极连续电流:24 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay
以上是SQJ850EP-T1-GE3的详细信息,包括SQJ850EP-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!