SQ1420EEH-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: SC-70-6
数量：: 3798
说明：: MOSFET 60V 1.6A 3.3W N-Ch Automotive

一、本商品被浏览0次.

SQ1420EEH-T1-GE3 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

零件号别名：SQ1420EEH-GE3
典型关闭延迟时间：8 nS
上升时间：21 nS
功率耗散：3.3 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：2.7 nC
下降时间：7 nS
包装形式：Reel
封装形式：SC-70
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.14 Ohms at 10 V
漏极连续电流：1.6 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SQ1420EEH-T1-GE3的详细信息，包括SQ1420EEH-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：