SQ2319ES-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: SOT-23-3（TO-236）
数量：: 6678
说明：: MOSFET 40V 4.6A 3W P-Ch Automotive

一、本商品被浏览0次.

SQ2319ES-T1-GE3 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

零件号别名：SQ2319ES-GE3
功率耗散：3 W
包装形式：Reel
封装形式：SOT-23-3
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.075 Ohms
漏极连续电流：- 4.6 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SQ2319ES-T1-GE3的详细信息，包括SQ2319ES-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：