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SQ2361EES-T1-GE3

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 SOT-23-3（TO-236）
数量：
 3861  
说明：
 MOSFET 60V 2.5A 2W P.CH 150mohm @ 10V
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SQ2361EES-T1-GE3-SOT-23-3（TO-236）图片

SQ2361EES-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SQ2361EES-GE3
上升时间：8 ns
功率耗散：2 W
栅极电荷 Qg：11.2 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：5 S
下降时间：8 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOT-23
安装风格：SMD/SMT
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.115 Ohms
漏极连续电流：- 2.5 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：- 60 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SQ2361EES-T1-GE3的详细信息，包括SQ2361EES-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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