SQ2360EES-T1-GE3

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 SOT-23-3(TO-236)
数量:
 6687  
说明:
 MOSFET 60V 4.4A 3W N-Ch Automotive
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
SQ2360EES-T1-GE3-SOT-23-3(TO-236)图片

SQ2360EES-T1-GE3 PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下:

零件号别名:SQ2360EES-GE3
功率耗散:3 W
包装形式:Reel
封装形式:SOT-23-3
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.085 Ohms
漏极连续电流:4.4 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SQ2360EES-T1-GE3的详细信息,包括SQ2360EES-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

  • SQ24D25图片

    SQ24D25

    固态继电器-工业安装 25A 230VAC Zero Cross

  • SQ24D25-12图片

    SQ24D25-12

    固态继电器-工业安装 25A 230VAC Zero Cross

IC电子元件邮购步骤

最新产品列表 IC