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SQ1470EH-T1-GE3

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 SC-70-6
数量：
 3825  
说明：
 MOSFET 30V 2.8A 3.3W N-Ch Automotive
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SQ1470EH-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SQ1470EH-GE3
典型关闭延迟时间：14 nS
上升时间：13 nS
功率耗散：3.3 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：4.4 nC
下降时间：8 nS
包装形式：Reel
封装形式：SC-70
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.065 Ohms at 4.5 V
漏极连续电流：2.8 A
闸/源击穿电压：+/- 12 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SQ1470EH-T1-GE3的详细信息，包括SQ1470EH-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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