点击下载PDF参数资料
中文参数如下:
功率耗散:38 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:68 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :3 S
包装形式:Tube
封装形式:TO-220
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
漏极连续电流:16 A
汲极/源极击穿电压:500 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay
以上是SIHF16N50C-E3的详细信息,包括SIHF16N50C-E3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!