SIHF30N60E-E3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: TO-220FP-3
数量：: 6761
说明：: MOSFET 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS

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SIHF30N60E-E3 PDF参数资料

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中文参数如下：

功率耗散：37 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：85 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：5.4 S
包装形式：Tube
封装形式：TO-220FP-3
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：125 mOhms at 10 V
漏极连续电流：29 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：600 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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