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中文参数如下：
：175°C
功率耗散（最大值）：180W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：7700 pF @ 10 V
Vgs（最大值）：+10V，-20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：172 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 1mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：4.3 毫欧 @ 45A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：90A（Ta）
漏源电压（Vdss）：40 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：P 通道
产品状态：在售
包装：U-MOSVI
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage
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