SIHF8N50D-E3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: TO-220-3 整包
数量：: 4761
说明：: MOSFET 500V 850mOhm@10V 8.7A N-Ch D-SRS

一、本商品被浏览0次.

SIHF8N50D-E3 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

功率耗散：33 W
包装形式：Bulk
封装形式：TO-220FP-3
安装风格：Through Hole
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：850 mOhms at 10 V
漏极连续电流：8.7 A
闸/源击穿电压：5 V
汲极/源极击穿电压：500 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIHF8N50D-E3的详细信息，包括SIHF8N50D-E3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他电源管理 IC产品：

软开关 PWM 控制器低压差控制器 - LDO 反馈回路功率控制器功率因数校正 IC 电压模式 PWM 控制器

开关变换器、稳压器与控制器最新产品：