SIHF8N50D-E3

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 TO-220-3 整包
数量:
 4761  
说明:
 MOSFET 500V 850mOhm@10V 8.7A N-Ch D-SRS
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SIHF8N50D-E3-TO-220-3 整包图片

SIHF8N50D-E3 PDF参数资料

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中文参数如下:

功率耗散:33 W
包装形式:Bulk
封装形式:TO-220FP-3
安装风格:Through Hole
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):850 mOhms at 10 V
漏极连续电流:8.7 A
闸/源击穿电压:5 V
汲极/源极击穿电压:500 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SIHF8N50D-E3的详细信息,包括SIHF8N50D-E3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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