SIHG17N60D-E3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: TO-247-3
数量：: 4806
说明：: MOSFET 600V 340mOhm@10V 17A N-Ch D-SRS

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SIHG17N60D-E3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SIHG17N60D-GE3
功率耗散：277.8 W
包装形式：Bulk
封装形式：TO-247AC
安装风格：Through Hole
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：340 mOhms at 10 V
漏极连续电流：17 A
闸/源击穿电压：5 V
汲极/源极击穿电压：600 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIHG17N60D-E3的详细信息，包括SIHG17N60D-E3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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