SI8800EDB-T2-E1

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: 4-XFBGA，CSPBGA
数量：: 1134
说明：: MOSFET 20Volt N-Channel Micro Foot-4

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SI8800EDB-T2-E1 PDF参数资料

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中文参数如下：

功率耗散：900 mW
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：5.5 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：10 S
包装形式：Reel
封装形式：Micro Foot-4
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 125 C
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.095 Ohms
漏极连续电流：2.8 A
闸/源击穿电压：8 V
汲极/源极击穿电压：20 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Vishay

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