SI8806DB-T2-E1

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 4-XFBGA
数量:
 6399  
说明:
 MOSFET 12V 3.9A 0.9W 4.3mOhms @ 4.5V
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SI8806DB-T2-E1 PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:30 ns
商标名:MICROFOOT TrenchFET
上升时间:20 ns
功率耗散:0.3 W to 0.9 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:6.5 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :16 S
下降时间:12 ns
包装形式:Reel
封装形式:Micro Foot-1
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.035 Ohms
漏极连续电流:0.7 A
闸/源击穿电压:8 V
汲极/源极击穿电压:12 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI8806DB-T2-E1的详细信息,包括SI8806DB-T2-E1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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